【簡介：】這是一個誤區(qū)，其實生產(chǎn)28納米芯片和7納米芯片的光刻機(jī)可以是同一種光刻機(jī)，只是使用光刻機(jī)的方式有變化而已。臺積電昔日就是用相同的浸入式ArF光源的DUV光刻機(jī)，生產(chǎn)出來了從28

這是一個誤區(qū)，其實生產(chǎn)28納米芯片和7納米芯片的光刻機(jī)可以是同一種光刻機(jī)，只是使用光刻機(jī)的方式有變化而已。臺積電昔日就是用相同的浸入式ArF光源的DUV光刻機(jī)，生產(chǎn)出來了從28納米到7納米的所有芯片。只不過現(xiàn)在有了EUV光源的光刻機(jī)，在生產(chǎn)7納米芯片時效率更高，于是臺積電就在許多工序改用了EUV光刻機(jī)，但并不是說浸入式ArF光源的DUV光刻機(jī)就不被使用到7納米芯片工藝的工序中了。

如此一來，這個問題就簡化成為，只要上海微電子攻克了生產(chǎn)28納米的光刻機(jī)，理論上來說，通過工藝改進(jìn)，不計成本的話，7納米芯片也是可以被生產(chǎn)出來的。這理論上也算是攻克了7納米的工藝吧。所以問題就變成了2025年前攻克28納米光刻機(jī)的可能性了。

真正7納米芯片的工藝問題是代工廠的責(zé)任，探索臺積電已經(jīng)走過的技術(shù)路線，用浸入式ArF光源的DUV光刻機(jī)的多次曝光工藝來生產(chǎn)7納米芯片。這就不是我們今天討論的關(guān)鍵了。

很顯然，2021年就不用指望了。因為上海微電子的28納米光刻機(jī)沒有達(dá)到合格標(biāo)準(zhǔn)，需要2022年繼續(xù)努力了。但即便2022年這臺光刻機(jī)達(dá)到了標(biāo)準(zhǔn)，獲得了通過，也還有一個嚴(yán)峻的問題擺在了上海微電子面前。那就是浸入式ArF光源的問題。現(xiàn)在這臺樣機(jī)的光源，用的是日本進(jìn)口的浸入式ArF光源。那么，在日后量產(chǎn)的時候，這個光源能不能穩(wěn)定供貨就是一個重大問題了。國內(nèi)光源提供商“科益虹源”，已經(jīng)拿出來了40w 4kHz ArF光源的樣機(jī)，但主流的ArF浸沒式光刻機(jī)需要60w 6kHz等級的光源，所以也就是說國內(nèi)的光源目前還沒辦法代替進(jìn)口光源了。

至此，這臺上海微電子的樣機(jī)能不能變成批量生產(chǎn)的產(chǎn)品就非常不確定了，因為關(guān)鍵子系統(tǒng)還處于攻關(guān)當(dāng)中，無法確認(rèn)研發(fā)出子系統(tǒng)的時間節(jié)點。

也就是說，現(xiàn)在上海微電子的這臺28納米光刻機(jī)，就是走的殲20路子。時間不等人，殲20就不等渦扇15發(fā)動機(jī)了，先用進(jìn)口的俄羅斯AL-31F發(fā)動機(jī)頂上用著?，F(xiàn)在上海微電子可不就是先用日本光源頂上用著嘛。至于中國自己的光源，就等著啥時候能研發(fā)出來吧。

以目前的國際大環(huán)境，殲20如果還想用俄羅斯發(fā)動機(jī)，就還是能找到貨源的。但中國如果想獲得一個穩(wěn)定的浸入式ArF光源的難度有多大？我想大家都明白。所以，這個浸入式ArF光源的緊迫性，甚至遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過對渦扇15的需求，就肯定沒錯了。

也就是說，哪怕2022年，上海微電子攻克了這個28納米光刻機(jī)技術(shù)，但橫在量產(chǎn)前面的光源問題，能不能在2025年前解決呢？我想沒人知道吧?，F(xiàn)在科益虹源的官網(wǎng)網(wǎng)站都打不開了，所以沒人知道他們的進(jìn)展如何了，現(xiàn)在網(wǎng)上真是一個字兒都沒有。

所以，說什么上海能不能在2025年前攻克7納米光刻機(jī)，僅僅一個光源問題就說明了一切。

按道理，28nm光刻機(jī)22年年初就通過國家驗收，前兩個月的驗收失敗了，子系統(tǒng)沒問題，整合上出了問題，28nm光刻機(jī)就可以做7nm芯片，臺積電第一代7nm就是28nmDUV光刻機(jī)做的，中芯現(xiàn)在風(fēng)險試產(chǎn)的7nm芯片也是通過28nm光刻機(jī)多次曝光，就是良率偏低，對應(yīng)的就是成本偏高